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Caracterizacion por fotorreflectancia de películas epitaxiales cuaternarias Ga1-xInxAsySb1-y
(2004-09-23)
Three Ga1¡xInxAsySb1¡y epitaxial thin films samples: x = 0:16; y = 0:11, x = 0:17; y =
0:14 and x = 0:17; y = 0:18, respectively, were studied by means of photoreflectance
(PR) technique in order to determine the fundamental ...
Estudio de pozos cuánticos de GaInAs/AlInAs por medio de la técnica de fotoluminiscencia en función de la temperatura
(2004-09-23)
Gran parte de la investigación actual de la física del estado sólido está dedicada a estudiar las propiedades de conducción eléctrica de los materiales y de los dispositivos con ellos elaborados. Actualmente su fabricación ...