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Estudio de la fotoluminiscencia de pozos cuánticos de Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs
(2008-11-19)
In the last years, nitride III-V semiconductor alloys attract an increasing amount of attention due to their interesting optical properties and the related potencial for applications in various electronic and optoelectronic ...
Caracterización óptica y estructural de multicapas de GaInAs/AlInAs con estructura de pozo cuántico
(2005-12-15)
En este trabajo se estudian algunos multipozos cuánticos de GaInAs/AlInAs utilizando las técnicas de fotoluminiscencia (PL) y microscopía de fuerza atómica. Dichas muestras fueron preparadas, previo a este trabajo, por la ...
Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia
(2008-10-27)
Las condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada ...
Estudio de defectos profundos en películas epitaxiales de AlxGa1-x As por la técnica de fotoluminiscencia en el infrarrojo
(2008-10-27)
Las últimas investigaciones en optoelectrónica tratan sobre la búsqueda de una técnica económica y fidedigna para obtener dispositivos optoelectrónicos [1] integrados monolíticamente que presenten diferentes funcionalidades, ...
Estudio de pozos cuánticos de GaInAs/AlInAs por medio de la técnica de fotoluminiscencia en función de la temperatura
(2004-09-23)
Gran parte de la investigación actual de la física del estado sólido está dedicada a estudiar las propiedades de conducción eléctrica de los materiales y de los dispositivos con ellos elaborados. Actualmente su fabricación ...