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Optimización de los parámetros de crecimiento de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb fabricada por la técnica de epitaxia en fase líquida
(2013-02-01)
El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, ...
Análisis fenomenológico del crecimiento de películas de Ga1-xInxAsySb1-y por la técnica de epitaxia en fase líquida
(2007-08-09)
El descubrimiento de los materiales semiconductores revolucionó la historia de la humanidad, ya que permitió la miniaturización y desarrollo de los más diversos dispositivos electrónicos, situación que promovió de manera ...