Estudio de la influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GainAsSb sobre sustratos de GaSb por la técnica De fotoluminiscencia

Abstract

Las condiciones ambientales de los últimos años, al igual que la exigencia de nuevas tecnologías para la fabricación de materiales con mayor aplicabilidad, han llevado a buscar semiconductores y dispositivos de avanzada tecnología. Los semiconductores basados en GaSb han tenido un gran impacto por su gran aplicabilidad y versatilidad para trabajar en el rango de infrarrojo. Particularmente el Ga1-xInxAsySb1-y puede operar en un amplio rango espectral de 0.8 a 4.3 m [1,2], llevándolo a ser uno de los materiales más importantes de última generación para aplicaciones como analizadores de compuestos atmosféricos [3], generadores y celdas termofotovoltaicos[4,5], fotodetectores [6,7], acopladores de fibras ópticas[8], LED’s, láseres [9,10], contactos óhmicos de baja resistencia [11], entre otros. Esta tendencia ha llevado a los investigadores a estudiar las características ópticas, físicas y eléctricas de este material. El primer paso para examinarlo, es conocer el proceso de fabricación y su influencia en la respuesta óptica del semiconductor. En el proceso de fabricación existen muchas técnicas para crecer películas, pero la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) permite fabricar películas en compuestos III – V de muy buena calidad, lo que le proporciona una amplia aplicabilidad en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, además de ser una técnica con una favorable relación costo-beneficio. Debido a sus características, al crecer películas por esta técnica se presentan gradientes de concentración en la dirección de crecimiento [12], razón por la cual consideramos importante conocer la respuesta óptica de películas crecidas en diferentes tiempos para analizar los cambios estructurales causados por las diferencias en la concentración.